ROHM fornisce chip SiC per il powertrain elettrico della BMW Neue Klasse
ROHM fornisce i MOSFET SiC per il powertrain elettrico della BMW Neue Klasse: più efficienza,…
Mouser distribuisce i FET GaNEXUS GaN di onsemi per AI, energia e robotica
Mouser Electronics offre a magazzino i FET GaNEXUS di onsemi: transistor GaN ad alte prestazioni…
Digital Gate Driving e Progetti di Riferimento Dedicati Sbloccano il Pieno Potenziale del Carburo di Silicio nell’Elettronica di Potenza ad Alta Tensione
Articolo sponsorizzato By Pradeep Kulkarni, product marketing manager of silicon carbide business unit, Microchip Technology,…
I vantaggi dei MOSFET SiC rispetto agli IGBT nelle applicazioni industriali
I motori elettrici industriali rappresentano una delle principali fonti di consumo energetico, in particolare negli…
Scopri il nuovo IPM al GaN di TI: efficienza inverter oltre il 99% per motori elettrici compatti
Le novità in evidenza I moduli di alimentazione IPM (intelligent power module) da 650 V…
Chicony Power e TI uniscono le loro forze per portare la tecnologia GaN negli alimentatori per laptop ad alta efficienza di nuova generazione
Texas Instruments, leader nel campo delle soluzioni a semiconduttore ad alta tensione, ha annunciato che…
Toshiba presenta il primo fotoaccoppiatore per gate driver intelligenti con funzione di ripristino automatico
Toshiba Electronics Europe GmbH ha lanciato il fotoaccoppiatore gate-driver intelligente TLP5222 per MOSFET e IGBT,…
Renesas annuncia la nuova generazione Si IGBT per inverter in veicoli elettrici
Renesas Electronics Corporation, fornitore leader di soluzioni avanzate a semiconduttore, annuncia lo sviluppo di una…
ON Semiconductor presenta soluzioni integrate per azionamenti industriali ad APEC 2021
ON Semiconductor®, azienda leader nello sviluppo di soluzioni innovative ad alta efficienza energetica, ha annunciato…
ON Semiconductor annuncia nuovi moduli MOSFET in carburo di silicio per la ricarica di veicoli elettrici ad APEC 2021
ON Semiconductor ha annunciato una coppia di moduli MOSFET SiC (Silicon Carbide) da 1200 V in…