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I nuovi moduli ROHM agevolano la ricarica wireless in dispositivi sottili e compatti
Il layout dell’antenna ottimizzato riduce il lavoro di sviluppo ROHM ha sviluppato dei moduli di ricarica…
Nuovi circuiti integrati compatti per convertitori AC/DC con 45 W di potenza per il montaggio superficiale di ROHM
I circuiti integrati per convertitori fly-back massimizzano le prestazioni, riducono i costi di sistema e…
Il circuito integrato per caricabatterie di ROHM: per ricaricare a bassa tensione le batterie ricaricabili
ROHM ha sviluppato il BD71631QWZ, un circuito integrato per caricabatterie progettato per la ricarica a…
ROHM espande alle applicazioni automotive la sua linea di diodi a barriera Schottky (SBD), apprezzata dal mercato per le caratteristiche di compattezza ed alta efficienza
L’intera linea di 178 articoli contribuisce a ridurre consumo di potenza e dimensioni, conferendo una…
Digi-Key Electronics, Farnell element14, FEATURED, MOUSER, NEWS, Prodotti, Rohm, Slideshow, Tecnologia
Il nuovo sensore di pressione barometrica classificato IPX8 di ROHM: compatto e ad altissima precisione
Il nuovo sensore di pressione barometrica di ROHM, il BM1390GLV (-Z), si distingue per le…
ROHM rivede i propri obiettivi circa la riduzione delle emissioni di gas ad effetto serra
Manifestando il proprio sostegno alle raccomandazioni della Task Force on Climate-related Financial Disclosures ROHM ha…
Nuova serie di amplificatori operazionali EMARMOUR™ di ROHM
ROHM ha sviluppato la serie BD8758xY (BD87581YG-C, BD87582YFVM-C) di amplificatori operazionali CMOS ad alta velocità…
I nuovi IGBT ibridi di ROHM con diodo SiC integrato
ROHM ha sviluppato la serie RGWxx65C (RGW60TS65CHR, RGW80TS65CHR, RGW00TS65CHR), composta da IGBT ibridi con diodo…
Il nuovo sito di supporto ai designer di ROHM: per garantire la sicurezza funzionale dei veicoli
Il nuovo sito web di ROHM riunisce 1.000 prodotti sotto il marchio ComfySIL™, per supportare…
ROHM, con 8V di gate withstand voltage, segna una svolta nel campo dei dispositivi GaN HEMT da 150 V
Si risolve il problema della tensione di scarica disruptiva di gate nei dispositivi GaN, contribuendo…