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ROHM, con 8V di gate withstand voltage, segna una svolta nel campo dei dispositivi GaN HEMT da 150 V
Si risolve il problema della tensione di scarica disruptiva di gate nei dispositivi GaN, contribuendo…
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Questo grazie alla serie GMR320 di resistori a chip a basso valore ohmico di nuovo…
ROHM lancia una linea di 24 modelli di MOSFET a canale P caratterizzati tenuta di…
Negli ultimi anni la tecnologia VR/MR/AR (VM = Virtual Reality, ovvero realtà virtuale;…
Le EEPROM con bus I²C, compatibili con il funzionamento a 125 °C e lanciate…
ROHM presenta l’”amplificatore operazionale CMOS 2 canali ad alta velocità, con rilevamento di messa…
Garantiscono un funzionamento stabile e una riduzione del consumo di potenza nelle applicazioni. ROHM ha…
Migliorano la dissipazione termica e l’affidabilità di montaggio. ROHM ha presentato i MOSFET ultracompatti…
Wolfram Harnack prende servizio oggi, 1° ottobre 2020, come nuovo Managing Director della ROHM Semiconductor…
Contribuiscono a ridurre al minimo il consumo di energia in standby e ad aumentare l’affidabilità.…