Toshiba Electronics Europe GmbH ha annunciato l’ampliamento della propria gamma con il lancio di IX800FXF2YMS4, un modulo SiC MOSFET doppio. Il nuovo modulo offre un’elevata capacità di corrente di picco per garantire un funzionamento affidabile negli apparecchi industriali, inclusi gli inverter e i convertitori per i veicoli ferroviari e i sistemi di conversione di potenza come i trasformatori allo stato solido, i gruppi di continuità (UPS) e i sistemi di accumulo di energia, nonché le apparecchiature di controllo dei motori industriali. Esso contribuisce inoltre a migliorare l’efficienza del sistema grazie alla riduzione delle perdite di conduzione e commutazione.
Caratteristiche principali del modulo IX800FXF2YMS4
Il modulo IX800FXF2YMS4 utilizza i MOSFET al carburo di silicio (SiC) migliorati di terza generazione di Toshiba. Il modulo presenta una tensione drain-source (VDSS) nominale di 3300 V e una corrente di drain (DC) nominale (ID) di 800 A.
Il nuovo IX800FXF2YMS4 ha un valore nominale di I2t di 300 kA2s per il suo diodo a una temperatura iniziale di canale di 175 °C con VGS = -6 V, un singolo impulso a semionda sinusoidale di 10 ms con F.R. = 1 %. Questi valori indicano la capacità del diodo di sopportare correnti di picco in condizioni operative anormali. Un design ottimizzato del MOSFET al SiC consente di ottenere tali prestazioni, contribuendo a migliorare l’affidabilità delle apparecchiature.
Efficienza e prestazioni termiche
Inoltre, le basse perdite di conduzione e di commutazione del modulo contribuiscono a migliorare l’efficienza degli apparecchi e possono aiutare a ridurre i requisiti di raffreddamento. Il valore tipico di tensione diretta al drain-source (di rilevamento) (VDS(on)sense) è pari a 1,4 V con ID = 800 A, VGS = +20 V e Tch = 25 °C. Le perdite di commutazione tipiche in fase di accensione e spegnimento (Eon ed Eoff) sono rispettivamente di 185 mJ e 175 mJ, con VDD = 1800 V, ID = 800 A e Tch = 175 °C.
Package iXPLV e affidabilità
Il nuovo prodotto è alloggiato nel package iXPLV™ (Intelligent Flexible Package Low Voltage), che utilizza un fissaggio del die tramite sinterizzazione con argento (Ag) e migliora la resistenza al calore e l’affidabilità, supportando una temperatura nominale del canale di 175 °C. Il suo lancio porta a quattro il numero di prodotti della gamma di moduli MOSFET al SiC di Toshiba in package iXPLV.
Prospettive future
Toshiba continuerà ad ampliare la propria gamma di moduli MOSFET al SiC per apparecchiature industriali e a offrire una gamma più ampia di opzioni di prodotto in risposta ai requisiti di svariate applicazioni e tipologie di apparecchi. Toshiba contribuirà inoltre a migliorare l’affidabilità, l’efficienza e la compattezza delle apparecchiature industriali.
Scoprite di più sul nuovo modulo MOSFET in SiC IX800FXF2YMS4 sul sito web di Toshiba.
Seguite il link qui sotto per ulteriori informazioni sui dispositivi di potenza SiC di Toshiba.
iXPLV è un marchio di Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation.
