Toshiba Electronics Europe GmbH ha lanciato XPJ1R504PB, un MOSFET di potenza a canale N da 40 V e 120 A conforme alle normative automotive e alloggiato nel package S‑TOGL™, che estende la gamma di dispositivi per sistemi a 12 V dell’azienda. Le applicazioni di riferimento includono gli inverter, i relè a semiconduttore, gli interruttori di carico e gli azionamenti dei motori. Aggiungendo questo MOSFET da 40 V alla propria gamma esistente alloggiata nel package S‑TOGL™, che include i modelli XPJR6604PB e XPJ1R004PB, Toshiba ha ampliato le opzioni di prodotto per soddisfare una vasta gamma di requisiti di applicazioni e di prestazioni.
Elettrificazione automotive e requisiti di potenza
Negli ultimi anni, con il progresso dell’elettrificazione nelle apparecchiature automotive, si è diffusa progressivamente l’adozione di inverter e di azionamenti dei motori, con un conseguente aumento della potenza e dell’efficienza. In risposta a queste tendenze, i MOSFET devono garantire al contempo basse perdite di potenza ed elevate capacità di dissipazione termica. Il MOSFET XPJ1R504PB, dotato del package S-TOGL, consente un montaggio compatto ad alta densità e offre prestazioni termiche eccellenti, che consentono di ridurre le dimensioni delle apparecchiature automotive e di migliorare l’efficienza.
Affidabilità meccanica e resistenza di on ridotta
Poiché questi tipi di apparecchi automotive operano in un’ampia gamma di condizioni di temperatura, l’affidabilità dei giunti di saldatura è fondamentale. Il package S‑TOGL impiega cavi ad ala di gabbiano che aiutano a ridurre le sollecitazioni di montaggio, migliorando così l’affidabilità meccanica delle connessioni saldate. Inoltre, il package presenta una struttura priva di terminali interni che integra la connessione dell’elettrodo di source con i cavi esterni, riducendo così la resistenza parassita e ottenendo una resistenza di on (RDS(ON)) di 1,54 mΩ (max.) con una tensione di gate-source (VGS) di 10 V.
Prestazioni termiche e gestione della corrente
L’utilizzo di un telaio in rame spesso all’interno del package S‑TOGL riduce l’impedenza termica transitoria tra il canale e il case (Zth(ch-c)) a 0,76 °C/W, riducendo le perdite di conduzione e sopprimendo la generazione di calore, con un conseguente miglioramento dell’efficienza complessiva del sistema. Inoltre, una struttura multi-pin dei terminali di source migliora la distribuzione della corrente, consentendo il funzionamento con correnti elevate.
Toshiba continuerà a sviluppare prodotti MOSFET per automotive adatti a varie applicazioni e requisiti di sistema, contribuendo così ad offrire maggiore efficienza.
Scoprite di più sui MOSFET XPJ1R504PB sul sito web di Toshiba: XPJ1R504PB | Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation | Europa(EMEA).
