ROHM presenta IGBT da 650 V con perdite record
ROHM lancia la quarta generazione di IGBT da 650 V con V CE(sat) = 1,55…
Toshiba espande MOSFET 40V S-TOGL per automotive
Toshiba lancia XPJ1R504PB, MOSFET a canale N da 40V e 120A in package S-TOGL, per…
Toshiba presenta MOSFET 40V a canale N in package SOP Advance (EWF) per automotive
Toshiba annuncia tre nuovi MOSFET di potenza a canale N da 40 V nel package…
Toshiba introduce la serie XCEZ: nuovi diodi Zener SOD-523 per la protezione avanzata dalle sovratensioni automotive
Toshiba Electronics Europe GmbH (« Toshiba ») amplia la propria gamma di diodi Zener per…
Nuovo fotorelè Toshiba da 1800 V: più sicurezza ed efficienza per batterie EV ed ESS ad alta tensione
Toshiba Electronics Europe GmbH (« Toshiba ») lancia il TLX9165T, un fotorelè per automotive alloggiato…
Il nuovo fotoaccoppiatore automotive offre il massimo valore di tensione collettore-emettitore pari a 200 V
Il dispositivo qualificato per automotive è adatto per numerose applicazioni nei veicoli ibridi/elettrici, incluso il…
I nuovi IGBT ibridi di ROHM con diodo SiC integrato
ROHM ha sviluppato la serie RGWxx65C (RGW60TS65CHR, RGW80TS65CHR, RGW00TS65CHR), composta da IGBT ibridi con diodo…
Circuiti automotive dalle dimensioni ridotte con i MOSFET ultracompatti da 1 mmq
Migliorano la dissipazione termica e l’affidabilità di montaggio. ROHM ha presentato i MOSFET ultracompatti…
ST integra un filtro di modo comune per la soppressione ESD dei disturbi in ambito automobilistico
I filtri ECMF04-4HSM10Y ed ECMF04-4HSWM10Y di STMicroelectronics per bus seriali ad alta velocità qualificati per il…
Toshiba introduce un MOSFET di potenza a canale N da 100V per applicazioni automotive
Il nuovo dispositivo è il primo della nuova serie U-MOS X-H di Toshiba ad essere…