WeEn Semiconductors, specialista nello sviluppo e produzione di prodotti a semiconduttore di potenza bipolari avanzati, ha lanciato una nuova famiglia di moduli di potenza SiC AC-DC e DC-DC all’avanguardia per soddisfare la crescente gamma di applicazioni di trasformatori a stato solido (SST), nonché supercharger per veicoli elettrici e applicazioni smart grid/rinnovabili.
Prestazioni e flessibilità per SST
Gli SST offrono efficienze di conversione nell’ordine del 98% e al momento del lancio sono stati sviluppati oltre 20 moduli ad alta efficienza e alta affidabilità. Questi sono disponibili in una varietà di package e con tensioni da 1200 a 2300 V, valori di R_DS(on) fino a 1,5 mΩ e possono essere realizzate configurazioni personalizzate per il cliente.
Le configurazioni dei moduli sono state create per soddisfare un’enorme varietà di applicazioni SST, tra cui PFC di rete per l’ultima generazione di rack AI, consentendo la conversione da 35 kV_AC a 800 V_DC in un unico stadio. Ciò include moduli a topologia a 3 livelli per prestazioni EMI migliorate (ad es. WMSC5R0N17B3T) e dispositivi a 2 livelli, per un controllo più semplice e ingombri ridotti (ad es. WMSC5R0F23B3T).
Analogamente, è stata annunciata un’ampia gamma di moduli half-bridge per applicazioni primarie e secondarie LLC/DAB con opzioni di package che includono alloggiamenti a vite B2, B3 e 62 mm.
Tutti i moduli della famiglia offrono bassa induttanza e sono stati sviluppati pensando sia alla flessibilità di progetto che alla semplicità di layout. Presentano un ordine dei pin che lascia spazio per il circuito di pilotaggio del gate, considerando anche l’integrazione del dispositivo e la sicurezza elettrica.
È disponibile anche una gamma di opzioni per i moduli, tra cui il materiale del substrato DBC (direct bonded copper), del case e del gel di silicio, nonché il montaggio, il tipo di pin, la placcatura e il servizio di pre-applicazione del materiale di interfaccia termica. Queste sono disponibili tramite il team di progettazione personalizzata collaborativa dell’azienda.
Dichiarazione del Presidente
Kevin Shen, Presidente di WeEn Semiconductors, ha dichiarato: “Abbiamo lanciato i nuovi moduli WMSC che coprono circa il 90% di tutte le applicazioni SST e questi sono anche ideali per smart grid, rinnovabili e altri sistemi ad alta tensione. Rappresentano un importante passo avanti per il settore e offrono velocità di commutazione più elevate e tensioni di breakdown più elevate, che a loro volta consentono il collegamento diretto alla rete a media tensione, nonché magnetici ridotti, efficienze più elevate e raffreddamento semplificato.”
Disponibilità e ulteriori informazioni
Tutti i moduli sono disponibili per il campionamento e in quantità di produzione. Per ulteriori informazioni su questi moduli, nonché sugli IC di potenza SiC ad alta tensione (fino a 2300 V) di WeEn e sulla sua offerta di progettazione personalizzata collaborativa, visitare ween-semi.com.
Tabella dei dispositivi
Moduli INPC includono:
- WMSC5R0N17B3T: 1700 V, 5,0 mΩ
Moduli half-bridge B3 multiuso includono:
- WMSC5R0HS23B3T: 2300 V, lato AC
- WMSC5R0F23B3T: 2300 V, lato AC, LLC/DAB primario
- WMSC3R0F15B3T: 1500 V, LLC/DAB primario
- WMSC3R0F12B3T: 1200 V, LLC/DAB secondario
- WMSC2R4F12B3T: 1200 V, LLC/DAB secondario
Moduli half-bridge B2 includono:
- WMSC4R0H23B2N: 2300 V, 4,0 mΩ, LLC/DAB secondario
- WMSC4R8H23B2N-D: 2300 V, 4,8 mΩ, LLC/DAB secondario
- WMSC6R0H12B2N-D: 2300 V, 6,0 mΩ, LLC/DAB secondario
Moduli half-bridge 62 mm (montaggio a vite) includono:
- WMSC2R7H23T2: 2300 V, 2,7 mΩ, lato AC
- WMSC2R7H17T2N-D: 1700 V, 2,7 mΩ, LLC/DAB primario
- WMSC7R5H17T2N-D: 1700 V, 7,5 mΩ, LLC/DAB secondario
- WMSC1R9H12T2: 1200 V, 1,9 mΩ, LLC/DAB secondario
- WMSC1R9H12T2N: 1200 V, 1,9 mΩ, LLC/DAB secondario
Moduli half-bridge ad alta potenza (montaggio PCB) includono:
- WMSC1R5H12B3S: 1200 V, 1,5 mΩ, LLC/DAB secondario
- WMSC2R3H12B3S: 1200 V, 2,3 mΩ, LLC/DAB secondario
- WMSC4R0H12B2S: 1200 V, 4,0 mΩ, LLC/DAB secondario
- WMSC4R0H12B2S-D: 1200 V, 4,0 mΩ, LLC/DAB secondario
- WMSC4R0H12B2T-D: 1200 V, 4,0 mΩ, LLC/DAB secondario
