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ON Semiconductor, da sempre all’avanguardia nelle innovazioni ad alta efficienza energetica, introdurrà nuovi MOSFET a supergiunzione (SJ) e nuovi diodi SiC, come parte delle proprie iniziative nel corso del PCIM Europe Digital Event di quest’anno.
L’efficienza e l’affidabilità sono sempre più importanti nelle applicazioni di potenza, non da ultimo per consentire ai produttori di soddisfare gli standard internazionali più rigorosi. I MOSFET SUPERFET® III FAST SJ da 650 V offrono prestazioni di commutazione migliori rispetto agli altri MOSFET a supergiunzione presenti sul mercato, con una migliore efficienza e una maggiore affidabilità a livello di sistema. Queste caratteristiche sono molto richieste in diversi settori applicativi in rapida crescita, che includono il 5G, le stazioni di ricarica per i veicoli elettrici (EV), le telecomunicazioni e i server.
ON Semiconductor introdurrà inoltre i diodi SiC da 1200 V di ultima generazione qualificati AECQ101 per automotive e conformi agli standard industriali, ideali per le applicazioni ad alta potenza come le stazioni di ricarica per i veicoli elettrici e gli inverter solari, i gruppi di continuità, i caricabatterie a bordo dei veicoli elettrici (OBC) e i convertitori DC-DC per veicoli elettrici. I diodi SiC offrono vantaggi significativi rispetto alle soluzioni su silicio, che includono una maggiore affidabilità, una riduzione delle EMI e una semplificazione dei requisiti di raffreddamento. Il nuovo formato introduce miglioramenti rispetto alla prima generazione di diodi SiC, grazie alle dimensioni inferiori del die e a una capacità più ridotta. I diodi NVDSH20120C, NDSH20120C, NVDSH50120C e NDSH50120C assicurano una caduta di tensione diretta inferiore e una corrente nominale 4 volte superiore, con una maggiore escursione del segnale (di/dt) pari a 3500 A/µs. Le dimensioni inferiori del die restituiscono inoltre una resistenza termica inferiore del 20% in un package F2.
