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Infineon Technologies completa l’offerta MOSFET CoolSiC con un’altra classe di tensione. Avendo aggiunto i modelli a 650 V al portafoglio all’inizio di quest’anno, l’azienda sta ora lanciando la classe 1700 V con la sua tecnologia proprietaria trench. Sfruttando al massimo le forti caratteristiche fisiche del carburo di silicio (SiC), i nuovi dispositivi a montaggio superficiale da 1700 V offrono un’affidabilità superiore, nonché basse perdite di commutazione e conduzione. I MOSFET CoolSiC da 1700 V sono destinati agli alimentatori ausiliari in sistemi di conversione trifase come azionamenti di motori, energie rinnovabili, infrastrutture di ricarica e sistemi HVDC.
Tali applicazioni a bassa potenza di solito funzionano al di sotto di 100 W. In questi casi, i progettisti molto spesso preferiscono una topologia flyback single-ended. Con i nuovi MOSFET CoolSiC da 1700 V in package SMD, questa topologia è ora abilitata anche per i circuiti ausiliari collegati a DC-link fino a una tensione di ingresso di 1000 V DC. I convertitori ausiliari ad alta efficienza e alta affidabilità che utilizzano un convertitore flyback single-ended possono ora essere implementati in sistemi di conversione di potenza trifase. Ciò porta a riduzione di dimensioni e del numero di componenti esterni.
“La tecnologia trench dei MOSFET CoolSiC è ora disponibile per i 1700 V“, ha dichiarato il Dr. Peter Friedrichs, Senior Director SiC della divisione Industrial Power Control di Infineon. “Combina il meglio delle proprietà SiC: basse perdite con ingombro ridotto, in un package SMD ad alta tensione. Questo aiuta i nostri clienti a ridurre significativamente la complessità dei loro alimentatori ausiliari”.
La tensione di 1700 V elimina i problemi di progettazione relativi al margine di sovratensione e all’affidabilità degli alimentatori. La tecnologia trench CoolSiC offre le più basse capacità e cariche di gate per transistor di questa classe di tensione.
Il risultato è una riduzione della perdita di potenza di oltre il 50 percento e del 2,5 percento in più di efficienza rispetto ai MOSFET al silicio da 1500 V all’avanguardia. L’efficienza è dello 0,6 percento superiore rispetto ad altri MOSFET SiC di pari tensione. Le basse perdite consentono un assemblaggio SMD compatto con raffreddamento per convezione naturale senza la necessità di un dissipatore di calore.
I nuovi MOSFET trench CoolSiC da 1700 V sono ottimizzati per topologie flyback con tensione di gate-source +12 V / 0 V, compatibile con i comuni controller PWM. Pertanto, non hanno bisogno di un gate driver IC e possono essere gestiti direttamente dal controller flyback. I valori nominali di resistenza all’accensione sono 450 mΩ, 650 mΩ o 1000 mΩ. Il nuovo package D²PAK SMD a 7 terminali offre una estesa capacità di dispersione del calore e distanze tra i pin superiori a 7 mm. Con ciò, è in grado di soddisfare i requisiti delle applicazioni a 1700 V e le specifiche PCB, riducendo al minimo gli sforzi di isolamento per la progettazione.
I nuovi MOSFET sono già in produzione. Ulteriori informazioni sono disponibili al seguente link.
