Caricabatterie e alimentatori più piccoli e veloci con il primo dispositivo che integra tecnologia Si e GaN
Da STMicroelectronics la prima soluzione al mondo che integra driver Si e transistor di potenza…
NXP inaugura in Arizona una nuova fabbrica per la lavorazione del nitruro di gallio (GaN)
L’impianto ad elevati volumi produttivi per GaN è il più avanzato negli Stati Uniti per…
I progetti AC/DC con transistor al Nitruro di Gallio (GaN) traggono beneficio dalla tecnologia iCoupler
Di Robbins Ren, Field Applications Engineer Un elevato livello di efficienza negli alimentatori ac/dc è…
Lo stadio di potenza GaN LMG341xR050 di TI è ora disponibile presso Mouser
Mouser Electronics sta distribuendo lo stadio di potenza al nitruro di gallio (GaN) LMG341xR050 della…
STMicroelectronics e TSMC collaborano per accelerare l’adozione di prodotti a base di nitruro di gallio
STMicroelectronics e TSMC stanno collaborando per accelerare lo sviluppo di tecnologie di processo per il…
Arrow organizza un seminario, con esposizione, sulle tecnologie SiC e GaN
Alla scoperta, insieme ad Arrow, delle proposte dei maggiori produttori di tecnologie SiC e GaN…
Manca una settimana a PCIM Europe
PCIM Europe è il più importante evento europeo dedicato all’elettronica di potenza e alle sue…
GaN FET resistenti alle radiazioni in package plastico per applicazioni spaziali “Smallsat”
I dispositivi resistenti alla radiazioni ISL71043M e ISL71040M forniscono una soluzione ottimizzata nel costo e…
Amplificatore GaN in banda ultra-larga a controllo digitale per le stazioni base per telefonia mobile
Si prevede che contribuirà alle comunicazioni a elevata capacità e a ridurre il consumo energetico…
Il GaN rompe le barriere: largo agli amplificatori di potenza RF
L’aumento delle bande di trasmissione nelle telecomunicazioni e della precisione nei controlli industriali sta spingendo…