Nuovo driver GaN per il controllo dei FET GaN
Analog Devices, Inc. (ADI) propone un driver GaN half-bridge da 100 V che semplifica l’implementazione…
ROHM Svela i Circuiti Integrati EcoGaN per Stadi di Potenza
ROHM ha sviluppato circuiti integrati per stadi di potenza con HEMT al GaN da 650…
La tecnologia dei moduli trasformatori integrati di TI aiuta a massimizzare l’autonomia di guida nei veicoli ibridi ed elettrici
Texas Instruments (TI) ha presentato il modulo di alimentazione a polarizzazione in CC/CC isolato da…
ON Semiconductor annuncia soluzioni innovative per alimentatori offline ad altissima densità
ON Semiconductor®, azienda leader nello sviluppo di soluzioni innovative ad alta efficienza energetica, ha ampliato…
Gli innegabili vantaggi della tecnologia SiC rispetto alla tecnologia Si
Di Milan Ivkovic è Segment Director per EBV Elektronik, una divisione Avnet La tecnologia al…
ROHM, con 8V di gate withstand voltage, segna una svolta nel campo dei dispositivi GaN HEMT da 150 V
Si risolve il problema della tensione di scarica disruptiva di gate nei dispositivi GaN, contribuendo…
Come scegliere i dispositivi GaN o SiC per la commutazione ad alta tensione
a cura di Udo Blaga – Senior Technology Application Engineer Power, Avnet Silica. Ogni ingegnere…
Il libro AspenCore focalizza il ruolo fondamentale del GaN nella nuova era della potenza
Il Silicio sta raggiungendo i suoi limiti teorici di prestazioni per l’elettronica. Nel frattempo l’industria…
I primi FET GaN di potenza per applicazioni automotive con driver, protezione e gestione attiva dell’alimentazione
Offrono la massima efficienza e consentono di incrementare la densità di potenza nei caricabatterie…
Acquisizioni / Fusioni, CREE, FEATURED, Industrial, NEWS, Power, RF & Microwave, SiC/GaN, Slideshow, Wolfspeed
Cree si focalizza su SiC e GaN e vende l’unità di LED Business a SMART Global Holding per 300 milioni
Cree ha annunciato la vendita della sua attività legata ai LED allo stato solido a…