Caricabatterie e alimentatori più piccoli e veloci con il primo dispositivo che integra tecnologia Si e GaN

Da STMicroelectronics la prima soluzione al mondo che integra driver Si e transistor di potenza GaN in un unico package. Consente di realizzare sistemi più piccoli dell’80% e del 70% più leggeri, con tempi di ricarica inferiori di 3 volte. Ma soprattutto consente di semplificare la progettazione.

STMicroelectronics presenta MasterGaN®, la prima piattaforma al mondo che incorpora un driver a mezzo ponte basato sulla tecnologia di silicio insieme a una coppia di transistor di potenza al nitruro di gallio. La combinazione accelererà la creazione di caricabatterie e adattatori di alimentazione di nuova generazione, compatti ed efficienti per applicazioni consumer e industriali fino a 400W.

La tecnologia GaN consente a questi dispositivi di gestire più potenza anche se sono più piccoli, più leggeri, in quanto più efficienti dal punto di vista energetico. Queste prestazioni faranno la differenza per i caricabatterie ultraveloci e wireless per smartphone, gli adattatori compatti USB-PD per PC e giochi, nonché nelle applicazioni industriali come sistemi di accumulo di energia solare, gruppi di continuità o TV OLED di fascia alta e server cloud.

L’attuale mercato GaN è tipicamente servito da transistor di potenza discreti e circuiti integrati di pilotaggio che richiedono ai progettisti di apprendere nuove tecniche di implementazione per  ottenere le migliori prestazioni. L’approccio MasterGaN di ST aggira questa necessità, con conseguente time-to-market più rapido e prestazioni garantite, insieme a un ingombro ridotto, assemblaggio semplificato e maggiore affidabilità con meno componenti. Con la tecnologia GaN e i vantaggi dei prodotti integrati di ST, caricabatterie e adattatori possono ridurre l’80% delle dimensioni e il 70% del peso delle normali soluzioni a base di silicio.

L’esclusiva piattaforma MasterGaN di ST si basa sulla nostra comprovata esperienza e capacità di power-design per combinare il processo BCD smart power ad alta tensione con la tecnologia GaN, per accelerare la creazione di prodotti salvaspazio ed efficienti dal punto di vista energetico più rispettosi dell’ambiente“, ha affermato Matteo Lo Presti, Executive VP and General Manager Analog Sub-Group, STMicroelectronics.

Scheda di sviluppo per MasterGaN.

ST sta lanciando la nuova piattaforma con MasterGaN1, che contiene due transistor di potenza GaN collegati a mezzo ponte con driver integrati high-side e low-side in silicio. La piattaforma MasterGaN sfrutta i gate driver STDRIVE 600V e i transistor GaN ad alta mobilità elettronica (HEMT).

La famiglia di dispositivi si estenderà a diverse dimensioni di transistor GaN  e sarà offerta come prodotti half-bridge compatibili con i pin che consentono agli ingegneri di scalare progetti di successo con modifiche hardware minime. Sfruttando le basse perdite di accensione e l’assenza di recupero body-diode che caratterizzano i transistor GaN, i prodotti offrono un’efficienza superiore e un miglioramento delle prestazioni complessive in topologie high-end ad alta efficienza come flyback o forward con clamp attivo, risonante, totem senza ponte pole PFC (correttore del fattore di potenza) e altre topologie di commutazione soft e hard utilizzate nei convertitori AC/DC e DC/DC e negli inverter DC / AC.

Il MasterGaN1 contiene due transistor normalmente spenti che presentano parametri di temporizzazione strettamente abbinati, corrente nominale massima di 10 A e resistenza on 150 mΩ (RDS (ON)). Gli ingressi logici sono compatibili con segnali da 3,3V a 15V. Sono inoltre integrate funzionalità di protezione complete, tra cui protezione UVLO lato basso e lato alto, interblocco, un pin di spegnimento dedicato e protezione da sovratemperatura.

MasterGaN1 è attualmente in produzione, in un package GQFN da 9 mm x 9 mm alto solo 1 mm.  Il basso profilo garantisce un’elevata densità di potenza ed è progettato per applicazioni ad alta tensione con una distanza di dispersione di oltre 2 mm tra i pad ad alta e bassa tensione.

Per questo prodotto è anche disponibile una scheda di valutazione.

Il prezzo unitario del dispositivo è di 7 dollari per lotti di 1.000 pezzi.

www.st.com

 

 

 

Lascia un commento

Il tuo indirizzo email non sarà pubblicato.

Menu