Collaborazione strategica per il mercato GaN
Cambridge GaN Devices (CGD), leader globale nei dispositivi di potenza innovativi basati su GaN (nitruro di gallio), unisce le forze con NXP Semiconductors per accelerare il time-to-market nei mercati dei data center e automotive. Questi mercati in forte crescita rappresentano un’enorme opportunità per il GaN. L’Agenzia Internazionale dell’Energia prevede che l’energia utilizzata dai data center raddoppierà entro il 2030, rendendo i miglioramenti dell’efficienza energetica un imperativo chiave. Si prevede che il mercato dei semiconduttori di potenza per data center registrerà un CAGR dell’11,0%, raggiungendo vendite globali di 4,29 miliardi di USD entro il 2032, mentre ResearchandMarkets.com ha previsto che il mercato degli inverter di trazione per veicoli elettrici (EV) registrerà un CAGR del 16,1%, raggiungendo vendite globali di 67,6 miliardi di USD nel 2034.
Dettagli della collaborazione
Questa nuova collaborazione a lungo termine consentirà a NXP di sviluppare soluzioni di sistema basate su GaN, sfruttando i prodotti GaN avanzati di CGD, l’accesso anticipato agli sviluppi GaN di prossima generazione di CGD e la vasta esperienza del team nei processi e nelle tecnologie GaN. Allo stesso tempo, CGD beneficerà dell’accesso all’ampio portafoglio di processori e prodotti analogici di NXP, del know-how di sistema e della portata commerciale globale, accelerando la penetrazione del mercato attraverso soluzioni ottimizzate a livello di sistema.
Dichiarazioni dei leader
Fabio Necco, CEO di CGD: “Lavorando a stretto contatto con NXP, stiamo accelerando il passaggio verso una nuova classe di elettronica di potenza basata su GaN. Questa collaborazione riguarda lo sfruttamento delle prestazioni del GaN per aumentare efficienza, densità di potenza e affidabilità in sistemi reali per data center e automotive, dove prestazioni, costi e sostenibilità devono ora andare di pari passo.”
Chris Bretz, Vice President, Advanced Power Systems di NXP: “CGD combina innovazione avanzata nel GaN con soluzioni di potenza pratiche e scalabili, offrendo robustezza, affidabilità e prestazioni a livello di sistema superiori. Con una profonda competenza nei dispositivi e un forte know-how, CGD è un collaboratore ideale a lungo termine per NXP per accelerare l’adozione del GaN ad alta efficienza in mercati in forte crescita.”
Vantaggi del GaN e applicazioni
I semiconduttori GaN consentono la commutazione a frequenze più elevate e raggiungono una maggiore efficienza rispetto alle tecnologie concorrenti. La rapida crescita della domanda di potenza nei data center è particolarmente trainata dal crescente utilizzo dell’IA. Un singolo rack potrebbe aver consumato solo 40 kW nel 2022, ma il 9 giugno 2026 può assorbire 200 kW o più e si prevede che un singolo rack richiederà 1 MW o più entro il 2030. L’aumento della densità di calcolo e le moderne architetture di potenza impongono requisiti stringenti sulla densità di potenza e la necessità di fornire elevati rapporti di step-down mantenendo l’efficienza energetica. ICeGaN è posizionato in modo unico per soddisfare questi requisiti, consentendo operazioni di commutazione a frequenza più elevata, maggiore densità di potenza e offrendo affidabilità superiore rispetto alle soluzioni GaN discrete.
Negli inverter di trazione automotive, il GaN può migliorare l’efficienza a basso carico. La tecnologia ICeGaN di CGD è l’unica tecnologia basata su GaN a chip singolo che funziona su un driver standard e consente il parallelo di più dispositivi per soddisfare gli elevati requisiti di corrente richiesti dagli inverter di trazione.
La proprietà intellettuale complementare e le competenze delle due aziende consentiranno soluzioni a livello di sistema uniche e differenziate per i clienti che esplorano i vantaggi dei dispositivi GaN in questi due importanti mercati.
La tecnologia ICeGaN
La tecnologia monolitica proprietaria ICeGaN di CGD offre maggiore efficienza e facilità d’uso, poiché i dispositivi ICeGaN sono pilotati allo stesso modo di un dispositivo convenzionale in silicio o carburo di silicio. A differenza del GaN convenzionale, ciò rende il parallelo facilmente realizzabile poiché elimina le sfide del bilanciamento delle tensioni di gate e della generazione della tensione negativa corretta per spegnere il dispositivo. Il circuito integrato ICeGaN garantisce inoltre un’elevata robustezza del gate fino a 80 V e può includere altre preziose funzionalità come il controllo dello slew rate e la protezione DESAT.
