Il MOSFET a doppio canale N + canale P alloggiato in un package TSOP6F compatto offre una resistenza di on ridotta e ben bilanciata per una progettazione circuitale semplificata.
SSM6L826R è un MOSFET doppio da 30 V che integra sia un MOSFET a canale N sia un MOSFET a canale P in un unico package. Il prodotto è ideale per applicazioni che includono il controllo dei motori DC brushless monofase (BLDC), il controllo dei motori DC con spazzole e gli interruttori di carico per le linee di alimentazione nelle apparecchiature di controllo consumer e industriali.
Il dispositivo SSM6L826R utilizza il processo UMOSVIIH per il MOSFET a canale N e il processo UMOSVI per il MOSFET a canale P. È alloggiato in un package TSOP6F compatto (2,9 mm × 2,8 mm × 0,8 mm) con cavi piatti per migliorare le prestazioni di montaggio.
Il dispositivo raggiunge bassi valori di resistenza di on al terminale drain-source (RDS(ON)), pari a 46 mΩ (max.) (VGS = 10 V) per il MOSFET a canale N e 45 mΩ (max.) (VGS = -10 V) per il MOSFET a canale P. Essendo i valori di RDS(ON) quasi identici, le perdite di conduzione rimangono ben bilanciate, aiutando i progettisti a semplificare lo sviluppo dei circuiti. Inoltre, l’integrazione di entrambi i tipi di MOSFET in un unico package riduce l’area occupata sul PCB, il numero di componenti e il costo della distinta base (BOM).
La linea TSOP6F di MOSFET duali comprende tre MOSFET doppi a canale N, un MOSFET doppio a canale P e due MOSFET complementari (N+P), offrendo agli ingegneri una maggiore flessibilità nella selezione del dispositivo ottimale per i propri progetti.
L’ampliamento del portafoglio di MOSFET risponde alla crescente domanda di maggiore efficienza, minori perdite e miniaturizzazione delle apparecchiature nei mercati consumer e industriali.
