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Düsseldorf, Germania – Toshiba Electronics Europe GmbH (“Toshiba”) lancia il primo MOSFET a drain comune a canale N da 30 V. Il nuovo dispositivo SSM10N961L offre un funzionamento con basse perdite ed è specificamente destinato all’uso nei dispositivi con interfacce USB. Inoltre, può essere utilizzato per proteggere i pacchi batteria nelle applicazioni mobili.
Con l’onnipresenza delle interfacce USB, sono stati sviluppati numerosi componenti e dispositivi per supportare tali standard. Lo standard USB Power Delivery (USB PD) supporta livelli di potenza superiori che vanno da 15W (5V / 3A) a un massimo di 240W (48V / 5A) e consente lo scambio del lato di alimentazione e ricezione. Ciò richiede dispositivi con ricarica USB dotati di supporto per l’alimentazione bidirezionale ed è il caso d’uso per cui è stato progettato il nuovo MOSFET a drain comune a canale N SSM10N961L.
Finora, i MOSFET a drain comune a canale N di Toshiba erano dei prodotti a 12V destinati principalmente alla protezione dei pacchi batterie agli ioni di litio (Li-ion) all’interno degli smartphone. Il prodotto da 30V appena introdotto può essere utilizzato per applicazioni che richiedono tensioni superiori a 12V, come la commutazione del carico per le linee elettriche dei dispositivi di ricarica USB e la protezione dei pacchi di batterie agli ioni di litio per gli apparecchi alimentati a batteria.
Il MOSFET SSM10N961L combina due canali N in una configurazione a drain comune, la quale consente il funzionamento bidirezionale. La tensione di rottura sorgente-sorgente (V(BR)SSS) è di 30V, ideale per l’utilizzo in applicazioni a tensione più elevata come quelle presenti nei laptop e nei tablet. Per ridurre le perdite in tutte le applicazioni, la resistenza di on sorgente-sorgente (RSS(ON)) è tipicamente 9,9mΩ.
La corrente nominale del dispositivo è pari a 9,0A con montaggio su piazzola in rame da 18μm con un’area di 407mm2. Se le dimensioni e lo spessore della piazzola vengono aumentate a 70μm e 687,5mm2, la corrente nominale sale a 14,0A.
Malgrado la capacità di gestione della potenza del MOSFET SSM10N961L, il dispositivo è alloggiato in un piccolo package sottile (TCSPAG-341501) che misura appena 3,37mm × 1,47mm x 0,11mm, il quale consente di sviluppare soluzioni ad alta densità.
Combinando il nuovo dispositivo con un driver TCK42xG, è possibile formare un circuito di commutazione del carico con una funzione di prevenzione del riflusso o un circuito multiplexer di potenza in grado di commutare tra le funzioni Make-Before-Break (MBB) e Break-Before-Make (BBM).
Toshiba ha introdotto un circuito Multiplexer di potenza come progetto di riferimento basato su questa combinazione di prodotti. Il funzionamento del circuito è stato verificato da Toshiba e fornisce ai progettisti la garanzia di una semplificazione del processo e di una riduzione dei tempi di sviluppo.
Le consegne del nuovo dispositivo hanno inizio da oggi.
Visitare il sito Web Toshiba per ulteriori dettagli: https://toshiba.semicon-storage.com/eu/semiconductor/product/mosfets/detail.SSM10N961L.html
