Infineon amplia la sua famiglia di MOSFET di potenza OptiMOS con un modello da 40 V in package Source-Down (SD) PQFN

I moderni sistemi di alimentazione richiedono livelli di densità di potenza elevati e fattori di forma ridotti per massimizzare le prestazioni. Infineon Technologies risponde a queste esigenze ampliando la sua famiglia OptiMOS con un MOSFET di potenza da 40 V che si aggiunge al dispositivo da 25 V introdotto a febbraio. È disponibile in un package Source-Down (SD) PQFN con un ingombro di 3,3 x 3,3 mm². Il MOSFET SD da 40 V è destinato  principalmente a sistemi SMPS per server, telecomunicazioni e OR-ing, nonché sistemi di protezione della batteria, utensili elettrici e caricabatterie.

Nel package Source-Down (SD) il cristallo di silicio è capovolto all’interno del componente. In questo modo il source, anziché il drain, è connesso al pad termico e da qui al PCB. Alla fine, questa variante può portare a una riduzione significativa dell’RDS ON fino al 25 percento rispetto alla tecnologia attuale. Anche la resistenza termica tra giunzione e pad (R_thJC) migliora notevolmente rispetto ai tradizionali contenitori PQFN. La connessione Source-Down (SD) di OptiMOS può resistere ad elevate correnti continue, fino a 194 A. Inoltre, la possibilità di layout ottimizzato e l’utilizzo più efficiente del PCB consentono una maggiore flessibilità di progettazione, per sfruttare al massimo le caratteristiche del dispositivo.

Disponibilità

Il MOSFET di potenza SD OptiMOS a 40 V è disponibile in due versioni, standard e Center-Gate. La variante Center-Gate è ottimizzata per il funzionamento in parallelo di più dispositivi. Entrambe le varianti nella confezione PQFN 3,3 x 3,3 mm² sono già in produzione.