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Diodes Incorporated ha annunciato oggi la disponibilità del primo in una nuova generazione di MOSFET discreti. The DMN3012LEG delivers DMN3012LEG offre una maggiore efficienza in un package più piccolo per fornire significativi risparmi in termini di costi, energia e spazio, in una vasta gamma di applicazioni di conversione e controllo della potenza.
Il DMN3012LEG integra doppi MOSFET in un unico package che misura solo 3,3 mm x 3,3 mm e riduce i requisiti di spazio sulla scheda fino al 50% rispetto a una tipica soluzione a due chip. Questo risparmio di spazio è vantaggioso per una vasta gamma di applicazioni che utilizzano i moduli Point of Load (PoL) e Power Management. DMN3012LEG può essere utilizzato nei convertitori buck sincroni DC-DC e nelle topologie di potenza a semiponte per ridurre le dimensioni delle soluzioni di conversione di potenza.
La struttura 3D del package PowerDI®3333-8 Tipo D aiuta ad aumentare l’efficienza energetica complessiva, mentre gli elevati valori di tensione e corrente lo rendono utilizzabile in numerose circostanze. Il design del pad con ampia superficie di massa offre buone prestazioni termiche, consentendo al dispositivo finale di funzionare con temperature più basse. L’elevata velocità di commutazione e l’efficienza del processo utilizzato riducono anche al minimo la necessità di grandi induttori e condensatori.
Il DMN3012LEG integra due MOSFET a canale N che lo rendono adatto a progetti di convertitori buck sincroni. Utilizzando un processo LDMOS, combina velocità di ritardo di accensione e spegnimento di 5,1 nS e 6,4 nS per Q1, 4,4nS e 12,4ns per Q2. Il dispositivo ha valori di massima resistenza di accensione (RDS ON) di soli 12 mΩ a Vgs = 5 V per Q1 e 6 mΩ a Vg = 5 V per Q2. Il DMN3012LEG può accettare una tensione di drain di 30 V con gate-source di 10 V, supportando al contempo un gate drive di 5 V.
Il DMN3012LEG è già disponibile al prezzo unitario di USD 0,589 per quantità di mille pezzi.
