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MOSFET in carburo di silicio da 2200V: rivoluzione nell’efficacia delle applicazioni elettroniche
Il modulo MOSFET Dual SiC consente di realizzare inverter su due livelli caratterizzati da basse…
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I nuovi dispositivi miglioreranno l’efficienza e ridurranno l’ingombro nelle applicazioni industriali Toshiba Electronics Europe…
Il nuovo formato di package assicura una riduzione della resistenza termica del 50% rispetto ai…