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I nuovi dispositivi miglioreranno l’efficienza e ridurranno l’ingombro nelle applicazioni industriali
Toshiba Electronics Europe GmbH (“Toshiba”) ha lanciato in totale cinque nuovi dispositivi MOSFET al carburo di silicio (SiC) da 650 V di terza generazione per apparecchiature industriali.
Questi prodotti altamente efficienti e versatili saranno utilizzati in una varietà di applicazioni impegnative, che includono gli alimentatori a commutazione (SMPS) e i gruppi di continuità (UPS) per server, data center e apparecchi di comunicazione. Essi troveranno impiego anche nel campo delle energie rinnovabili, compresi gli inverter fotovoltaici (FV) e i convertitori DC-DC bidirezionali, come quelli utilizzati per la ricarica dei veicoli elettrici (EV).
I nuovi componenti TW015N65C, TW027N65C, TW048N65C, TW083N65C e TW107N65C si basano sull’avanzato processo SiC di terza generazione di Toshiba che ottimizza le strutture a celle utilizzate nei dispositivi di seconda generazione.
Come risultato di questo sviluppo, un’importante cifra di merito (FoM) calcolata come il prodotto fra la resistenza di on al drain-source (RDS(on)) e la carica al gate-drain (Qg ), che rappresenta le perdite sia statiche che dinamiche, ha riportato un miglioramento di circa l’80%. Ciò riduce significativamente le perdite e consente di sviluppare soluzioni di alimentazione con densità di potenza più elevate e costi di esercizio inferiori.
Analogamente ai dispositivi precedenti, i nuovi MOSFET di terza generazione incorporano un diodo a barriera Schottky al SiC con una bassa tensione diretta (VF) di -1,35V (tip.) per sopprimere le fluttuazioni del valore della RDS(on) , migliorando così l’affidabilità.
I nuovi dispositivi sono in grado di gestire correnti (ID) fino a 100A e presentano valori RDS(on) di appena 15mΩ. Tutti i dispositivi sono alloggiati in un package TO-247 standard.
Ulteriori informazioni: TW015N65C, TW027N65C, TW048N65C, TW083N65C e TW107N65C
