Alimentare la corsa alla e-mobility
Introduzione Il settore e-mobility comprende tutti i tipi di trasporto che utilizzano un motore elettrico…
Toshiba investe nell’eccellenza della potenza: innovazioni SiC, IGBT e tecnologie sostenibili per l’elettronica del futuro
Le tecnologie trasformative, come l’intelligenza artificiale, i veicoli elettrici e i sistemi di produzione di…
Littelfuse IX3407B: il nuovo gate driver isolato che semplifica i progetti ad alta potenza
Littelfuse, Inc. (NASDAQ: LFUS), un’azienda produttrice di tecnologia industriale diversificata che promuove un mondo sostenibile,…
Farnell amplia la gamma Nexperia: nuove soluzioni di potenza SiC e GaN per applicazioni industriali e automotive
Ogni anno Nexperia aggiunge circa 800 nuovi tipi di prodotti alla sua gamma. Nel 2024…
Toshiba guida l’eccellenza nella potenza: innovazione e sostenibilità per l’elettronica di domani
PER UN DOMANI MIGLIORE Le tecnologie trasformative, come l’intelligenza artificiale, i veicoli elettrici e i…
Toshiba TLP579xH: fotoaccoppiatori gate driver ad alte prestazioni per MOSFET e IGBT in applicazioni industriali e energie rinnovabili
Toshiba Electronics Europe GmbH (« Toshiba ») amplia la propria gamma di prodotti per il…
I vantaggi dei MOSFET SiC rispetto agli IGBT nelle applicazioni industriali
I motori elettrici industriali rappresentano una delle principali fonti di consumo energetico, in particolare negli…
Toshiba presenta il primo fotoaccoppiatore per gate driver intelligenti con funzione di ripristino automatico
Toshiba Electronics Europe GmbH ha lanciato il fotoaccoppiatore gate-driver intelligente TLP5222 per MOSFET e IGBT,…
Renesas annuncia la nuova generazione Si IGBT per inverter in veicoli elettrici
Renesas Electronics Corporation, fornitore leader di soluzioni avanzate a semiconduttore, annuncia lo sviluppo di una…
La tecnologia dei moduli trasformatori integrati di TI aiuta a massimizzare l’autonomia di guida nei veicoli ibridi ed elettrici
Texas Instruments (TI) ha presentato il modulo di alimentazione a polarizzazione in CC/CC isolato da…