Renesas lancia il primo GaN 650V con raffreddamento su entrambi i lati per data center AI
Renesas presenta il TP65H020G4PLSGBD, primo GaN 650V con raffreddamento dual-side in package 8x8mm: 20 mΩ,…
Alimentare la corsa alla e-mobility
Introduzione Il settore e-mobility comprende tutti i tipi di trasporto che utilizzano un motore elettrico…
Toshiba presenta il MOSFET U-MOS11-H da 100 V con RDS(ON) di soli 2,7 mΩ per SMPS ad alta efficienza
Toshiba Electronics Europe GmbH (« Toshiba ») ha lanciato il TPH2R70AR5, un nuovo MOSFET di…
Littelfuse IX3407B: il nuovo gate driver isolato che semplifica i progetti ad alta potenza
Littelfuse, Inc. (NASDAQ: LFUS), un’azienda produttrice di tecnologia industriale diversificata che promuove un mondo sostenibile,…
Capire le correnti nei condensatori di ingresso dei convertitori buck CC/CC
Tutti i convertitori buck necessitano di condensatori in ingresso. In realtà, in un mondo perfetto,…
Renesas presenta il nuovo controller buck USB-C con topologia a tre livelli: più efficienza e sistemi più compatti
Renesas Electronics Corporation (TSE: 6723), fornitore leader di soluzioni avanzate a semiconduttore, presenta il dispositivo…
MOSFET in carburo di silicio da 2200V: rivoluzione nell’efficacia delle applicazioni elettroniche
Il modulo MOSFET Dual SiC consente di realizzare inverter su due livelli caratterizzati da basse…
I nuovi IGBT ibridi di ROHM con diodo SiC integrato
ROHM ha sviluppato la serie RGWxx65C (RGW60TS65CHR, RGW80TS65CHR, RGW00TS65CHR), composta da IGBT ibridi con diodo…
I convertitori DC-DC surface-mount da 2W di Murata con uscite bipolari
Murata ha ampliato la propria offerta nel settore delle soluzioni di potenza avanzate con una…
I satelliti Boeing utilizzano i moduli di potenza radiation-tolerant di Vicor
Vicor Corporation ha annunciato oggi il lancio dei suoi primi moduli di potenza…