Toshiba Electronics Europe GmbH (« Toshiba ») ha lanciato il TPH2R70AR5, un nuovo MOSFET di potenza a canale N da 100 V fabbricato con il processo di ultima generazione dell’azienda, noto come U-MOS11-H. Il MOSFET sarà utilizzato principalmente nelle applicazioni di alimentazione a commutazione (SMPS), in particolare nei convertitori DC-DC ad alta efficienza. I principali settori applicativi saranno all’interno dei data center, delle stazioni base di comunicazione e di altre apparecchiature industriali di alta fascia.
Grazie al processo avanzato U-MOS11-H a 100 V, il TPH2R70AR5 offre significativi vantaggi di prestazioni rispetto ai dispositivi fabbricati nel processo U-MOSX-H esistente. Ad esempio, rispetto al dispositivo TPH3R10AQM di precedente generazione, la resistenza di on al drain-source (RDS (ON)) risulta ridotta di circa l’8 %, pari a soli 2,7 mΩ (max.), mentre la carica al gate-drain (Qg) è ora inferiore del 37 % e pari a 52 nC (valore tipico). La cifra di merito (FoM) RDS (ON) x Qg è stata quindi migliorata del 42 %.
Inoltre, il MOSFET TPH2R70AR5 raggiunge prestazioni ad alta velocità del diodo intrinseco attraverso l’applicazione della tecnologia di controllo del tempo di vita. Di conseguenza, rispetto al TPH3R10AQM, la velocità di commutazione risulta migliorata e, inoltre, il tempo di recupero del diodo e il rumore sono ridotti. La tecnologia di controllo del tempo di vita riduce anche la carica di recupero inversa (Qrr) a 55 nC (tip.) e sopprime i picchi di tensione. La RDS (ON) x Qrr FoM è migliorata di circa il 43 %.
Le caratteristiche fondamentali di RDS(ON), Qge e Qrr riducono le perdite sia di conduzione che di commutazione, contribuendo ad assicurare una maggiore efficienza nelle applicazioni di alimentazione. Ciò riduce i costi operativi e consente di ottenere una maggiore densità di potenza. Il dispositivo, alloggiato nel package SOP Advance (N) che misura appena 5,15 mm x 6,1 mm, offre nel montaggio un’eccellente compatibilità con gli standard del settore.
Il nuovo TPH2R70AR5 è classificato per una corrente di drain massima (ID) di 190 A a una temperatura ambiente di 25 °C. Il dispositivo è in grado di funzionare con una temperatura del canale (Tch) fino a 175 °C, riducendo così la necessità di misure di raffreddamento.
Toshiba offre anche tool di supporto alla progettazione circuitale: il modello G0 SPICE, che verifica il funzionamento del circuito in tempi rapidi, e modelli G2 SPICE altamente accurati che riproducono con precisione le caratteristiche transitorie. Tutti i tool di supporto sono attualmente disponibili per il download gratuito dal sito web di Toshiba.
