ROHM presenta IGBT da 650 V con perdite record
ROHM lancia la quarta generazione di IGBT da 650 V con V CE(sat) = 1,55…
I nuovi MOSFET a 650 V di Cree offrono l’efficienza leader del settore
La tecnologia Wolfspeed sfrutta le prestazioni superiori del carburo di silicio per la prossima generazione…