Mouser Electronics, Inc., il distributore globale autorizzato di semiconduttori e componenti elettronici di ultima generazione, annuncia un accordo di distribuzione globale con Efficient Power Conversion (EPC), leader mondiale nelle soluzioni di potenza basate su nitruro di gallio in modalità ad arricchimento (eGaN®), che offre dispositivi GaN con tensioni comprese tra 15 V e 350 V. I FET eGaN e i circuiti integrati di EPC offrono prestazioni superiori rispetto ai migliori MOSFET di potenza al silicio (Si) in applicazioni quali convertitori DC-DC, tecnologie di sensori remoti come il lidar, il controllo dei motori per la mobilità elettrica, la robotica, i droni e altro ancora.
L’accordo mira ad ampliare l’accesso alla tecnologia GaN per gli ingegneri di tutto il mondo e ad accelerare l’adozione di soluzioni di alimentazione ad alta efficienza.
“Questo accordo globale con Mouser rientra nella nostra strategia di distribuzione volta a coinvolgere un numero maggiore di ingegneri interessati a progettare con il GaN, per via dei vantaggi che offre rispetto al silicio”, ha dichiarato Nick Cataldo, Vice Presidente Senior Vendite e Marketing di EPC. “Mouser vanta una presenza a livello mondiale e siamo entusiasti di collaborare con un’azienda dinamica.”
“La gamma di soluzioni di alimentazione ad alte prestazioni di EPC rappresenta un valido complemento alla nostra offerta di prodotti e risponde alle esigenze dei nostri clienti”, ha affermato Heather McGriff, Vice Presidente Gestione Fornitori di Mouser. “Siamo entusiasti di instaurare una collaborazione a lungo termine e di mettere queste tecnologie innovative a disposizione della comunità mondiale degli ingegneri.”
Il dispositivo EPC2302 è un transistor di potenza con una RDS(on) massima di 1,8 mΩ e una tensione di 100 V in un package QFN a bassa induttanza da 3 x 5 mm con parte superiore esposta per un’eccellente gestione termica. È progettato per applicazioni DC-DC ad alta frequenza da 40 V a 60 V e per azionamenti di motori BLDC a 48 V. La parte superiore esposta migliora la gestione termica sul lato superiore, mentre i fianchi bagnabili lateralmente assicurano che la superficie della piazzola sia bagnata dalla saldatura durante il riflusso, proteggendo il rame e consentendo l’ispezione ottica. La capacità ultra-bassa e il recupero inverso pari a zero del FET eGaN consentono un funzionamento efficiente per molte topologie. Le prestazioni sono ulteriormente migliorate grazie all’ingombro ridotto e alla bassa induttanza.
Il transistor EPC2304 è progettato per applicazioni che richiedono frequenze di commutazione ultra-elevate e tempi di conduzione ridotti, nonché per quelle in cui prevalgono le perdite in conduzione. Il dispositivo è adatto per azionamenti di motori, audio in classe D, alimentazione wireless e convertitori per la correzione del fattore di potenza (PFC). È disponibile in un package QFN da 3 x 5 mm con caratteristiche termiche migliorate, con parte superiore esposta e resistenza termica ultra-bassa. Il contenitore presenta inoltre fianchi bagnabili che semplificano assemblaggio e ispezione.
Il circuito integrato ePower™ EPC23102 integra un’interfaccia di logica di ingresso, un traslatore di livello lato alto, la carica bootstrap sincrona e i gate driver, insieme ai transistor di uscita eGaN FET, in un unico circuito integrato monolitico in package QFN MSL1. Il risultato è un circuito integrato di potenza che converte segnali di controllo dei livelli logici in uno stadio di potenza ad alta tensione e alta corrente, più semplice da progettare, più compatto e più efficiente nel funzionamento.
Questo dispositivo è ideale per inverter per azionamenti motore, amplificatori audio in classe D, convertitori LLC half-bridge e full-bridge e altre applicazioni simili.
L’EPC2305 è un transistor di potenza eGaN da 150 V che offre perdite di commutazione e perdite del gate driver inferiori rispetto ai migliori MOSFET al silicio della categoria, consentendo una maggiore densità di potenza grazie alla sua efficienza migliorata, alle dimensioni ridotte e alla frequenza di commutazione più elevata, con conseguente utilizzo di induttori più piccoli e un numero inferiore di condensatori. Le applicazioni tipiche dell’EPC2305 includono telefoni, notebook, PC da gaming, utensili elettrici, robotica domestica, mobilità elettrica ed energia solare.
