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EBV Elektronik, società Avnet (NASDAQ: AVT), ha annunciato che sta lavorando a stretto contatto con Infineon sulla tecnologia CoolSiC™. CoolSiC™ è una tecnologia all’avanguardia, ideata da Infineon, basata sul carburo di silicio che offre una serie di vantaggi fondamentali agli ingegneri che progettano sistemi di alimentazione avanzati rivolti a un’ampia selezione di settori e applicazioni. Infineon ed EBV collaboreranno nell’anno a venire e oltre per accelerare l’implementazione di dispositivi di alimentazione ad alta efficienza energetica basati su tecnologia CoolSiCTM.
A livello globale si registra una forte domanda di sistemi di conversione dell’energia più efficienti, più piccoli e più convenienti, in particolare per quanto riguarda il dinamico mercato dei veicoli elettrici. Rispetto al silicio tradizionale, il carburo di silicio offre molti importanti vantaggi, come ad esempio una tensione di funzionamento più elevata, range di temperatura di esercizio più ampi e frequenze di commutazione più veloci. La tecnologia CoolSiCTM di Infineon si basa sui vantaggi tipici del materiale semiconduttore per offrire livelli di efficienza e affidabilità superiori nel contesto di un’ampia varietà di applicazioni, come sistemi di ricarica per batterie, inverter fotovoltaici, azionamenti per motori, accumulatori di energia e alimentatori. Il portafoglio CoolSiCTM spazia dai diodi ai MOSFET discreti fino ai moduli ibridi e moduli completamente SiC.
Nell’ambito della cooperazione tra le due società, è disponibile esclusivamente da Avnet ed EBV una scheda di valutazione entry-level (EVAL-1ED3122MC12H-SiC) progettata da Infineon per fornire a ingegneri e sviluppatori un semplice strumento per verificare rapidamente le possibilità dell’avanzata tecnologia CoolSiCTM. La scheda può essere utilizzata per valutare le prestazioni dei MOSFET CoolSiCTM da 650V o 1200V, i quali potranno essere saldati in base all’applicazione dell’utente. Nell’ambito di questa cooperazione sono disponibili programmi di formazione per ingegneri e progettisti di sistemi di alimentazione.
Le dotazioni principali della nuova scheda Infineon includono una struttura di MOSFET CoolSiCTM configurati a semiponte e pilotati da gate-driver single-channel da 10A galvanicamente isolati della famiglia 1ED-X3 e circuiti di alimentazione isolati che erogano le tensioni richieste.
“Si prevede che il mercato SiC crescerà con un CAGR (tasso annuo di crescita composto) del 30% nei prossimi 5 anni. Infineon si impegna ad alimentare questa crescita sfruttando i canali di distribuzione che condividono la stessa ambizione”, ha affermato PY Ferrard, Corporate Vice President Distribution & EMS di Infineon. “Prevediamo che EBV possa essere fondamentale nella strategia formulata da Infineon per conseguire gli obiettivi stabiliti per il portafoglio di prodotti CoolSiCTM. Tale portafoglio è concepito per offrire ai progettisti la capacità di conseguire costi sempre più bassi e una maggiore efficienza nei sistemi di conversione di potenza rivolti a mercati e applicazioni in rapida crescita”.
“Il fatto che Infineon, leader mondiale nelle tecnologie di alimentazione e nel carburo di silicio, abbia scelto EBV come primo distributore per seguire un programma dedicato alla tecnologia CoolSiCTM è una chiara dimostrazione sia del nostro know-how che della portata globale di Avnet nelle applicazioni legate all’elettronica di potenza di importanza critica”, ha affermato Thomas Staudinger, Presidente di EBV Elektronik.
