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Littelfuse metterà in mostra il suo ampio portafoglio di offerte per semiconduttori di potenza dal 5 al 7 giugno, in occasione della fiera PCIM (Power Conversion and Intelligent Motion) Europe 2018 a Norimberga, all’interno del padiglione 9, stand 305. Con la sua recente acquisizione di IXYS Corporation, Littelfuse si posiziona come fornitore di primo livello nel mercato dei semiconduttori di potenza. Per questo motivo il tema per lo stand della PCIM Europe di quest’anno è “Fast and Agile Just Got Stronger” (Rapido e agile, è semplicemente più forte!).
“IXYS porta con sé numerose tecnologie per semiconduttori che completano il nostro portafoglio, oltre all’inventiva che si riflette nel suo innovativo design dei package e nella storia di tecnologie pionieristiche le cui origini risalgono al 1927, con il primo semiconduttore commerciale al mondo” sottolinea Corey Deyalsingh, Direttore della divisione Semiconduttori di potenza, di Littelfuse.
Deyalsingh continua: “Il portafoglio di prodotti combinato garantisce che i clienti possano ottenere indicazioni obiettive sulla migliore tecnologia per una determinata applicazione, oltre alla possibilità di accedere a un numero di prodotti superiore a quelli necessari da parte di un singolo fornitore di servizi di elevato livello. I clienti di IXYS sono entusiasti di tutti i vantaggi derivanti dalla portata globale e dal servizio clienti di primo livello che Littelfuse fornisce”.
Un’ampia gamma di prodotti, dimostrazioni e argomenti saranno proposti presso lo stand Littelfuse:
- MOSFET SiC e diodi
- Supporto applicazioni SiC
- Dispositivi e moduli IGBT
- Dispositivi e moduli bipolari
- Dispositivi press-pack a elevata potenza
- MOSFET e circuiti integrati di potenza
- Energia rinnovabile e stoccaggio
- Ricarica EV e infrastruttura di ricarica
Littelfuse sarà anche protagonista di numerose presentazioni tecniche durante PCIM Europe 2018:
- “SiC Power Device Technology and Packaging – Creating Cost-Effective and Highly Reliable High Power Solutions” (Tecnologia e package per dispositivi di potenza SiC – Creazione di soluzioni ad alta potenza estremamente affidabili e a basso costo) martedì 5 giugno alle 14.20. Exhibitor Forum (padiglione 7, stand 507).
- “In-Depth Study of Short-Circuit Robustness and Protection of 1200V SiC MOSFETs” (Studio approfondito di robustezza e protezione dai cortocircuiti dei MOSFET SiC da 1200 V) martedì 5 giugno alle 15.15, sessione Poster/Dialogue (Atrio ingresso piano terra NCC Mitte).
- “SIC – Devices for the Future Design” (SIC – Dispositivi per il design del futuro) mercoledì 6 giugno alle 13.30, Industry Forum (padiglione 6, stand 155).
- “Input Rectifiers with Superior Commutation Ruggedness for Power Management – A Benchmark in Input Rectifier Technology” (Raddrizzatori d’ingresso con superiore robustezza della commutazione per la gestione della potenza – Un riferimento per la tecnologia dei raddrizzatori d’ingresso) giovedì 7 giugno alle 15.40, Exhibitor Forum (padiglione 7, stand 507).
