EPC2370: GaN FET da 18 V per architetture AI di nuova generazione
EPC annuncia la produzione in serie del GaN FET EPC2370 da 18 V con resistenza…
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La nuova famiglia di gate driver supporta un funzionamento fino a 600V, ampliando l’offerta di…
Renesas Electronics Corporation (TSE:6723), fornitore leader di soluzioni avanzate a semiconduttori, oggi annuncia l’introduzione di nuovi microprocessori…
ON Semiconductor ha annunciato una coppia di moduli MOSFET SiC (Silicon Carbide) da 1200 V in…