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Mouser Electronics, Inc., distributore globale autorizzato dei più recenti componenti elettronici e prodotti per l’automazione industriale, ha annunciato oggi la pubblicazione di un nuovo eBook in collaborazione con onsemi, nel quale descrive l’uso dei semiconduttori al carburo di silicio (SiC) nella progettazione dei sistemi di alimentazione.
I dispositivi SiC stanno rivoluzionando l’elettronica di potenza grazie alle proprietà superiori dei loro materiali, che consentono la progettazione di sistemi di alimentazione efficienti, compatti e sostenibili. In Creare un futuro sostenibile con l’elettronica di potenza al carburo di silicio, onsemi analizza i vantaggi del SiC, le sue applicazioni nei veicoli elettrici e nelle energie rinnovabili e l’importanza di scegliere il partner SiC ideale. Stimato fornitore di soluzioni di alimentazione, onsemi offre dispositivi SiC di alta qualità, una catena di approvvigionamento affidabile e un supporto completo nella progettazione.
L’eBook include utili link per la scelta dei prodotti onsemi, ad esempio il MOSFET EliteSiC NTBG014N120M3P. L’NTBG014N120M3P è un MOSFET SiC planare da 1200V M3P ottimizzato per le applicazioni di alimentazione. La tecnologia planare funziona in modo affidabile con tensione di gate negativa e disattiva i picchi sul gate. Questo dispositivo è ideale negli inverter solari, nei sistemi di accumulo dell’energia e negli alimentatori a commutazione.
Il MOSFET EliteSiC NVBG1000N170M1, disponibile sul sito di Mouser, è un dispositivo planare M1 da 1700 V ottimizzato per applicazioni di commutazione rapida. Questo dispositivo è qualificato AEC-Q101 ed è in grado di supportare il PPAP, il che lo rende ideale per l’uso nei veicoli elettrici (EV) e nei veicoli elettrici ibridi (HEV). Nei veicoli elettrici e ibridi, i vantaggi dei dispositivi SiC si traducono in soluzioni di alimentazione più piccole, più leggere e più efficienti. L’energia sprecata è minore, con conseguente riduzione del numero di batterie necessarie.
Il gate driver NCP51705 è pensato principalmente per i transistor MOSFET SiC. Per ottenere le minori perdite possibili in fase di conduzione, il driver è in grado di fornire la tensione di gate massima ammissibile al dispositivo MOSFET SiC. Fornendo un’elevata corrente di picco durante l’accensione e lo spegnimento, le perdite di commutazione vengono ridotte al minimo.
Il gate driver a doppio canale isolato NCP51560 è progettato per garantire la rapida commutazione degli interruttori di potenza MOSFET SiC. I due canali galvanicamente isolati del gate driver possono essere utilizzati in tutte le configurazioni possibili di due interruttori low-side, due interruttori high-side o un driver a mezzo ponte con tempo morto programmabile. L’NCP51560 offre altre importanti funzioni di protezione quali il blocco per sottotensione indipendente per entrambi i gate driver.
Per leggere il nuovo eBook di Mouser e onsemi, visita il sito https://resources.mouser.com/manufacturer-ebooks/onsemi-enabling-a-sustainable-future-with-silicon-carbide-power-electronics-mg/.
Per sfogliare l’intera libreria di eBook dei produttori di Mouser, visita il sito https://resources.mouser.com/manufacturer-ebooks/.
