Toshiba lancia un MOSFET di potenza a canale N da 40V di tipo a basso picco

Il nuovo MOSFET riduce le EMI nelle applicazioni di alimentazione a commutazione

Toshiba Electronics Europe GmbH (“Toshiba”) ha lanciato il TPHR7404PU, un MOSFET a canale N da 40V che utilizza il processo U-MOSIX-H di ultima generazione. La caratteristica a basso picco del MOSFET riduce le sovraelongazioni nelle applicazioni a commutazione. Ciò rende il dispositivo ideale per la rettifica sincrona sul lato secondario nelle applicazioni di alimentazione a commutazione, grazie al suo contributo alla riduzione delle EMI. Questo risultato è ottenuto mantenendo una resistenza di accensione estremamente bassa, pari a soli 0,74mΩ (max) con una VGS di 10 V. Una tensione di soglia del gate compresa fra 2V e 3V (Id =1mA) aiuta ad evitare l’accensione involontaria, ad esempio negli strumenti alimentati a batteria.

Il dispositivo TPHR7404PU presenta una struttura cellulare innovativa, che utilizza una rete di snubber parassita, che limita in questo modo il rumore e l’oscillazione durante la commutazione. Ciò si traduce in una tensione di picco inferiore durante la commutazione e in una riduzione dell’oscillazione del segnale. Applicazioni quali i convertitori DC-DC ad alta efficienza, i driver per motori e i regolatori di tensione a commutazione trarranno vantaggio dalla caratteristica a basso picco del dispositivo.

Il MOSFET è disponibile in un package SOP Advance da 5 x 6 mm, e le sue dimensioni ridotte e la resistenza termica da canale a case estremamente ridotta di 0,71°C/W lo rendono adatto alle soluzioni di alimentazione compatte e ottimizzate per l’efficienza.

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