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Il dispositivo offre perdite significativamente ridotte, aumentando in questo modo l’efficienza della soluzione di alimentazione.
Toshiba Electronics ha lanciato un MOSFET al Carburo di Silicio (SiC) da 1200 V per applicazioni industriali ad alta potenza, che includono gli alimentatori AC-DC con ingresso da 400 V, gli inverter fotovoltaici (PV) e i convertitori DC-DC bidirezionali i per gruppi di continuità (UPS).
Il nuovo MOSFET di potenza TW070J120B si basa sul SiC, un nuovo materiale a banda larga che consente ai dispositivi di offrire resistenza alle alte tensioni, commutazione ad alta velocità e bassa resistenza in fase di accensione rispetto ai dispositivi MOSFET convenzionali e ai transistor bipolari a gate isolato (IGBT) realizzati in silicio (Si). Di conseguenza, il nuovo MOSFET apporterà un contributo significativo alla riduzione dei consumi energetici e al miglioramento della densità di potenza, consentendo di ridurre le dimensioni del sistema.
Realizzato in base a una struttura di dispositivo di seconda generazione di Toshiba, il nuovo MOSFET al SiC offre una maggiore affidabilità. Inoltre, il TW070J120B raggiunge una bassa capacità di ingresso (CISS), pari a 1680pF (tip.), un basso valore di carica in ingresso al gate (Qg) di 67nC (tip.) e una resistenza di on al drain-source (RDS (ON)) di appena 70mΩ (tip.).
Se confrontato con un IGBT al silicio da 1200 V come il GT40QR21 di Toshiba, il nuovo dispositivo riduce le perdite di commutazione in spegnimento di circa l’80% e il tempo di commutazione (tempo di caduta) di circa il 70%, offrendo allo stesso tempo caratteristiche di bassa tensione di accensione con una corrente di drain (ID) massima di 20A.
La tensione di soglia del gate (Vth) è impostata a un valore alto (nell’intervallo compreso tra 4,2 V e 5,8 V), che riduce la possibilità di accensione o spegnimento non intenzionale o spurio. Inoltre, l’incorporazione di un diodo al SiC a barriera Schottky (SBD) con una bassa tensione diretta (VDSF) di appena -1,35 V (tip.) contribuisce a ridurre ulteriormente le perdite.
Alloggiato in un package TO-3P (N), il nuovo MOSFET TW070J120B consentirà la progettazione di soluzioni di potenza ad alta efficienza, soprattutto nelle applicazioni industriali, in cui la maggiore densità di potenza contribuirà anche a ridurre le dimensioni e il peso delle apparecchiature.
Il nuovo dispositivo è già in produzione.
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